Een versterker met regelbare versterking.

Het ingangssignaal wordt toegevoerd aan G1. De spanning op G2 bepaalt de versterking, omdat deze de dikte van het kanaal van de bovenste MOSFET bepaalt. De onderstaande overdrachtkarakteristiek toont de drainstroom versus V_G1 voor verschillende waarden van V_G2.

Het is duidelijk te zien dat y_fs (=I_D/V_G1) afhankelijk is van V_G2. En dit betekent uiteraard dat de versterking afhangt van V_G2.

Een antenneversterker moet zwakke signalen voldoende versterken zodat de volgende trap het verder kan verwerken. Maar sterke signalen mogen die volgende trap niet oversturen. We hebben alleen een simpele schakeling nodig die een spanning produceert van, zeg, 5V bij zwakke signalen en 1V bij sterke signalen. Deze spanning sluiten we dan aan op G2. Zo werkt de AGC (Automatic Gain Control - automatische versterkingregeling) in veel ontvangers.

Een AM-modulator.

Een AM-modulator laat de amplitude van een hoogfrequent signaal variëren met een laagfrequent signaal. Dit valt eenvoudig te realiseren door op G1 het HF-signaal aan te sluiten en op G2 het LF-signaal. Net als hierboven gedraagt de bovenste MOSFET zich weer als spanninggestuurde weerstand. Hierdoor zal de versterking dus variëren met het LF-signaal.

HF-versterker.

De versterker in de vorige paragraaf werkt prima voor laagfrequente toepassingen, maar is ongeschikt om te dienen als antenneversterker in een tv. Als gevolg van de contructie van een MOSFET, is de capaciteit tussen Gate en Drain relatief hoog, ongeveer 5pF voor een kleinsignaal-MOSFET. Bij 100MHz betekent dit een impedantie van slechts 318Ω. Maar de capaciteit tussen G1 en Drain van een dual-gate MOSFET bedraagt slechts 20fF (1fF = 1 femto-Farad = 10^-18F). Bij 100MHz bedraagt de impedantie 79.6kΩ. G2 is meestal verbonden met de positieve voeding, of met een AGC-spanning (zie hierboven).