De afkorting FET staat voor veldeffecttransistor (Engels: Field Effect Transistor); de J staat voor Junctie.
JFET's zijn transistors met een hele hoge ingangsweerstand. Ze hebben drie aansluitpootjes: Drain, Gate and Source. JFET's zijn verkrijgbaar in twee smaken: N-kanaal and P-kanaal:
Een JFET kan zich gedragen als spanninggestuurde stroombron; de stroombron tussen de Drain en de Source wordt gestuurd door de spanning tussen de Gate en de Source.
De verhouding dID/dVGS wordt de steilheid of admittantie genoemd, symbool yfs.
Om een N-kanaal JFET te laten werken, moet de spanning op de Gate altijd lager zijn dan de spanning op de Drain en Source. Dit betekent dat VGS negatief moet zijn. Als VGS negatiever wordt, zal ID afnemen. De spanning waarbij de drainstroom nul wordt, wordt de afknijpspanning of "pinch-off"-spanning genoemd.
Een JFET gedraagt zich overigens alleen als spanningsgestuurde stroombron als VGD lager (meer negatief) is dan de afknijpspanning. Anders gedraagt de JFET zich als een spanningsgestuurde weerstand. (Voor een verklaring, zie de constructie van een JFET.)
Laten we eens kijken naar een BF245A, een N-kanaal JFET. Volgens de datasheet is yfs = 3mA/V (of 3mS, millisiemens). ID = 1mA bij VGS = -1V. Als VGS 0.5V hoger wordt, zal ID 1 + 0.5∙3 = 2.5mA worden.
We kunnen van dit gedrag gebuikmaken bij het bouwen van een versterker.